韓國三星在2023年6月底正式宣布量產了第一代3nm GAA制程技術，這也是三星首次采用全新的GAA架構晶體管技術，打破了FinFET原有的性能限制，藉由降低工作電壓水平來提高能耗比，同時還透過增加驅動電流來提升芯片性能。 如今，根據外媒報導，三星將進一步介紹的第二代3nm制程技術，其效能將較第一代3nm制程技術有所優(yōu)化。

　　報道指出，2023年VLSI技術和電路研討會將于2023年6月11至16日在日本京都舉行。 而根據官方預告，三星將介紹名為SF3的第二代3nm制程技術，該制程技術預計將使用第二代 MBCFET架構，在第一代3nm GAA(SF3E)基礎上做進一步的優(yōu)化。

　　根據三星表示，與4nm低功耗制程技術(SF4)相較，第二代3nm制程技術在相同功率和晶體管數量下，運算效能提高了22%，在相同頻率和復雜性下的功耗降低了34%，娉驗面積縮小了21%。 不過，三星并沒有將其 SF3 與 SF3E 進行比較，也沒有關于 SRAM 和模擬電路縮放方面的數據。

　　事實上，與傳統(tǒng) FinFET 技術相較，GAA 技術的主要優(yōu)點之一是泄漏電流減少。 另外，通道厚度可以調整，以提高性能或降低功耗。 三星表示，第二代3nm制程技術提供了更大的設計靈活性，使用不同寬度的MCFET。 而第二代3nm制程技術，三星方面表示，將有機會在2024年與臺積電的先進制程技術上展開競爭。

　　先前，三星集團旗下設備解決方案部門總裁慶桂顯在媒體訪問時坦承，其半導體制程上落后于臺積電。 不過，他認為三星更早地采用GAA晶體管技術是一項優(yōu)勢，預計5年內可以達成超越臺積電的目標。

　　報導進一步指出，三星目前也還在改進其4nm制程技術，目標是透過SF4P(4LPP+)縮小與競爭對手之間的差距，預計會在2023年下半年量產。 此外，三星還計劃推出用于高性能CPU和GPU的SF4X(4HPC)。 不過，在幾乎同一時間，臺積電也會帶來名為N3P的增強型3nm制程技術。 因此，屆時的競爭究竟誰能勝出，目前還猶未可知。