三星半導體研究所最近的一份招聘通知中提到，將開發(fā)一種透光率為92%的EUV薄膜。

　　此前報道顯示，三星電子已經開發(fā)出透光率高達88%的EUV薄膜，而且已經可以大規(guī)模生產。這意味著這家韓國科技巨頭已經達成上述目標，并提出了一個新的發(fā)展路線圖，將透光率提高4個百分點。

　　三星電子還開始對High-NA EUV薄膜的研究，這被稱為下一代的EUV工藝，該工藝的開發(fā)將基于新材料。該公司宣布將與外部研究機構合作，開發(fā)和評估由碳納米管和石墨烯制成的EUV薄膜。該公司還計劃挑選一些研究人員，負責為該公司自行開發(fā)的納米石墨薄膜(NGF)設計大規(guī)模生產設施。

　　EUV薄膜是半導體光刻工藝中的必備材料，它們可以作為一種覆蓋物，阻止外來物質附著在掩模上，可以最大限度地減少生產過程中的缺陷并延長昂貴的掩模的壽命來幫助降低成本。

　　然而，由于EUV光被大多數(shù)材料吸收的特性，想要商業(yè)化很困難。盡管三星電子已經提高了薄膜的技術水平，但專家們判斷將這種材料大規(guī)模量產的時機還未成熟。

　　三星電子的競爭對手臺積電從2019年其已在其量產線上使用自己研發(fā)的EUV薄膜。這家中國臺灣代工巨頭在2021年宣布，與2019年相比，其EUV薄膜產能提高了20倍。