開工儀式上，長飛先進(jìn)總裁陳重國、運(yùn)營副總裁徐德明分別致辭，對(duì)項(xiàng)目的開工表示了熱烈祝賀。徐德明表示，因?yàn)閷?duì)第三代半導(dǎo)體同樣的信仰，讓我們今天相聚在長飛先進(jìn)，共同立在時(shí)代的潮頭。只要方向和方法正確，堅(jiān)持下去一定會(huì)實(shí)現(xiàn)目標(biāo)。我們對(duì)此充滿信心，相信武漢基地的建設(shè)將會(huì)成為公司發(fā)展強(qiáng)大的助推器，推動(dòng)長飛先進(jìn)成為中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)頭羊，競逐國際市場。
陳重國在致辭時(shí)指出，在碳化硅行業(yè)，“產(chǎn)能為王”一直是行業(yè)關(guān)鍵詞，尤其是隨著800V新能源汽車的推出，2025年碳化硅市場將迎來全面爆發(fā)。為此，公司于2022年重組就已經(jīng)開始前瞻性規(guī)劃武漢基地的建設(shè)，此后一路加快步伐，并于今日迎來正式開工。
他表示，武漢基地的順利開工，標(biāo)志著公司在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域邁出了重要一步，將為公司在碳化硅產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展注入強(qiáng)大的動(dòng)力，在降低成本的同時(shí)，也為后續(xù)業(yè)務(wù)進(jìn)一步拓展及客戶服務(wù)提供充足的產(chǎn)能保障。
長飛先進(jìn)半導(dǎo)體武漢基地位于光谷科學(xué)島，項(xiàng)目總投資預(yù)計(jì)超過200億元。其中，項(xiàng)目一期總投資100億元，可年產(chǎn)36萬片SiC MOSFET晶圓，包括外延、器件設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝等。一期項(xiàng)目預(yù)計(jì)2025年建設(shè)完成，屆時(shí)將成為國內(nèi)最大的SiC功率半導(dǎo)體制造基地，公司產(chǎn)能規(guī)模將居行業(yè)絕對(duì)領(lǐng)先地位。
陳重國表示，半導(dǎo)體行業(yè)門檻非常高，但越高也就代表著硬實(shí)力越重要。對(duì)于長飛先進(jìn)而言，如今，人才、資金、廠房均已就位，接下來要做的就是沉下心來埋頭苦干，把產(chǎn)品做好，相信幾年之后一定會(huì)是一番新天地。
立足新起點(diǎn)，開啟新征程。以此次武漢基地開工儀式為契機(jī)，長飛先進(jìn)將不斷加快碳化硅產(chǎn)業(yè)建設(shè)步伐，加強(qiáng)關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)和創(chuàng)新突破，朝著“世界領(lǐng)先的寬禁帶半導(dǎo)體”公司加速前進(jìn)。
據(jù)悉，安徽長飛先進(jìn)半導(dǎo)體有限公司成立于2018年，注冊(cè)資本14,963.6604萬元，專注于碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)及制造，擁有國內(nèi)一流的產(chǎn)線設(shè)備和先進(jìn)的配套系統(tǒng)，具備從外延生長、器件設(shè)計(jì)、晶圓制造到模塊封測的全流程生產(chǎn)能力和技術(shù)研發(fā)能力。
公司可年產(chǎn)6萬片6英寸SiC MOSFET或SBD外延及晶圓、640萬只功率模塊、1800萬只功率單管，致力于提供高品質(zhì)的服務(wù)，目前可提供650V到3300V SiC SBD、SiC MOSFET相關(guān)產(chǎn)品。
日前，長飛先進(jìn)半導(dǎo)體完成了超38億元A輪股權(quán)融資，融資規(guī)模創(chuàng)國內(nèi)第三代半導(dǎo)體私募股權(quán)融資規(guī)模歷史之最，并刷新2023年以來半導(dǎo)體私募股權(quán)融資市場單筆最大融資規(guī)模紀(jì)錄。
新增投資方包括光谷金控、浙江國改基金、中平資本、中建材新材料產(chǎn)業(yè)基金、中金資本旗下基金、海通并購基金、國元金控集團(tuán)旗下基金、魯信創(chuàng)投、東風(fēng)資產(chǎn)、建信信托、十月資本、華安嘉業(yè)、中互智云、寶樾啟承、云岫資本等，涵蓋實(shí)力地方國資、產(chǎn)業(yè)資本、頂級(jí)投資機(jī)構(gòu)。老股東長飛光纖、天興資本等本輪持續(xù)追加。
