自今年年初以來,三星一直奉行減產(chǎn)戰(zhàn)略,此前曾報道,三星的晶圓產(chǎn)量大幅下降了 40%,最初的減產(chǎn)舉措主要集中在 DRAM 領(lǐng)域,之后下半年三星開始著手大幅削減 NAND Flash 業(yè)務(wù)產(chǎn)量,眼下正試圖推動 NAND 價格正;
如今 DRAM 已出現(xiàn)價格反彈,而 NAND 產(chǎn)品仍存突破空間。三星目標是擴大減產(chǎn)規(guī)模,降低供應(yīng)量,再提高產(chǎn)品價格來尋求反轉(zhuǎn),其期望明年第二季實現(xiàn) NAND 盈虧平衡點。
研究員 Han Dong-hee 認為,三星的第二波減產(chǎn)計劃和獲利優(yōu)先政策有望帶動存儲芯片價格反彈。
目前業(yè)內(nèi)買賣雙方正在洽談合約價,外媒認為 DRAM 及 NAND Flash 第四季度合約價將上漲 10%-15%,三星甚至計劃調(diào)漲 20%,不過仍待觀察具體成交價。